下载点数：50点
标准编号：GB/T 1557-2018
标准名称：硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
英文名称：Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
发布部门：国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期：2018-09-17
实施日期：2019-06-01
标准状态：现行
替代标准：GB/T 1557-2006
标准格式：PDF
起草单位：新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半导体材料研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司
起草人员：银波、夏进京、邱艳梅、刘国霞、柴欢、赵晶晶、刘文明、姚利忠、王海礼、邓浩、高明、郑连基、陈赫、石宇、杨旭、肖宗杰
标准简介：
本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1×10ˇ16 cmˇ－3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量(原子数)的测试范围从0.5×10ˇ15 cmˇ-3到硅中间隙氧的最大固溶度。