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GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

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标准编号:GB/T 36646-2018
标准名称:制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
英文名称:Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
发布部门:国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期:2018-09-17
实施日期:2019-01-01
标准状态:现行
标准格式:PDF
起草单位:东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院
起草人员:刘鹏、孙永健、丁晓民、冯亚彬、王健辉
标准简介:
本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。
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